温度及温度梯度对SiC单晶生长的影响

功能材料, 2004, 35(z1): 3084-3089.

温度及温度梯度对SiC单晶生长的影响

李现祥 ^1, , 李娟 ^2, , 董捷 ^3, , 王丽 ^4, , 姜守振 ^5, , 韩荣江 ^6, , 徐现刚 ^7, , 王继扬 ^8, , 胡小波 ^9, , 蒋民华 ^10,

1.山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100

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基金项目: 国家自然科学基金(60025409) 国家高技术研究发展计划(863计划)(2001AA311080)

关键词： SiC单晶 , 温度及温度梯度 , 生长速率 , 多型 , 扩径生长

Influence of temperature and temperature gradient on the growth of SiC monocrystals

利用升华法在高温低压下生长大直径SiC单晶.通过实验发现:在相同的轴向温度梯度下,SiC晶体平均生长速率随籽晶温度的升高而变大.通过减小轴向温度梯度,降低晶体生长界面的径向过饱和度分布,可以抑制多型的生长.通过优化温场的径向温度梯度,利用φ50mm的籽晶进行生长,得到了φ57mm的SiC单晶,实现了晶体的扩径生长.

参考文献

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