Si3N4/TiN复相陶瓷常温导电性研究

功能材料, 2010, 41(12): 2206-2209.

Si3N4/TiN复相陶瓷常温导电性研究

张淑会 ^1, , 康志强 ^2, , 吕庆 ^3, , 薛向欣 ^4, , 陈红建 ^5,

1.河北理工大学,冶金与能源学院,河北省现代冶金技术重点实验室,河北,唐山,063009

2.河北理工大学,资源与环境学院,河北,唐山,063009

3.河北理工大学,冶金与能源学院,河北省现代冶金技术重点实验室,河北,唐山,063009

4.东北大学,材料与冶金学院,辽宁,沈阳,110004

5.河北理工大学,冶金与能源学院,河北省现代冶金技术重点实验室,河北,唐山,063009

基金项目: 国家自然科学基金资助项目(50574030) 河北省自然科学基金资助项目(E2008000396)

关键词： Si3N4/TiN , 复相陶瓷 , 导电性能 , 放电加工

Room-temperature electrical conductivity property of Si3N4/TiN multiphase ceramics

分析了以高硅铁尾矿合成的Si3N4粉和高钛渣为原料常压烧结制备的Si3N4/TiN复相陶瓷的常温导电性,并对其进行放电加工.研究结果表明,初始原料中20%(质量分数)左右的TiO2加入量是决定材料中TiN能否形成导电网络的最低TiO2加入量,此时材料的电阻率为4.25×10-2Ω·cm.烧结温度升高,材料的电阻率略有降低.随放电加工速度的增加,加工表面的粗糙度明显增加.

参考文献

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