以高纯I2(5N)和In(7N)为原料,采用两温区气相输运法制备了InI多晶料,研究了高纯InI多晶合成工艺.用X射线粉末衍射(XRD)方法对合成的InI多晶进行结构测定,用扫描电子显微镜-X射线能量色散谱仪(SEM-EDS)对其成分进行分析,用等离子体原子发射光谱仪(ICP-AES)对其组成的元素进行痕量测定.研究结果表明:合成的InI多晶料晶格结构完整,纯度高,晶格参数为a=0.476 nm,b=1.278 nm,c =0.491 nm,且碘和铟比例接近1∶1.
参考文献
[1] | Onodera T.;Hitomi K.;Shoji T. .Fabrication of Indium Iodide X- and Gamma-Ray Detectors[J].IEEE Transactions on Nuclear Science,2006(5):3055-3059. |
[2] | 张伟,徐朝鹏,王海燕,陈飞鸿,何畅.碘化铟晶体本征缺陷的第一性原理研究[J].物理学报,2013(24):243101-1-243101-7. |
[3] | Growth of InI single crystals for nuclear detection applications[J].Journal of Crystal Growth,2010(8):p.1228. |
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