In3+、Ga3+掺杂BSPT高温压电陶瓷的研究

功能材料, 2008, 39(12): 1978-1981.

In3+、Ga3+掺杂BSPT高温压电陶瓷的研究

覃宝全 ^1, , 江一杭 ^2, , 赵毅 ^3, , 姜昱志 ^4, , 乐夕 ^5, , 肖定全 ^6, , 朱建国 ^7,

1.四川大学,材料科学与工程学院,四川,成都,610064

2.四川大学,材料科学与工程学院,四川,成都,610064

3.四川大学,材料科学与工程学院,四川,成都,610064

4.四川大学,材料科学与工程学院,四川,成都,610064

5.四川大学,材料科学与工程学院,四川,成都,610064

6.四川大学,材料科学与工程学院,四川,成都,610064

7.四川大学,材料科学与工程学院,四川,成都,610064

基金项目: 国家自然科学基金(60771016)

关键词： BSPT , 高居里温度压电陶瓷 , 掺杂

Investigations of In3+,Ga3+ doping on BSPT high temperature piezoelectric ceramics

将BiGaO3和BiInO3分别引入BiScO3-PbTiO3(BSPT)体系,并通过氧化物合成法制备了0.075BiGaO3-(0.925-x)BiScO3-xPbTiO3(SPTx, x=0.58～0.62)和0.075BiInO3-(0.925-x)BiScO3-xPbTiO3(BISPTx, x=0.61～0.65)压电陶瓷.X射线衍射分析表明,BiGaO3和BiInO3的替换掺杂均不影响BSPT体系的钙钛矿结构.随着PbTiO3含量的增加,SPTx和BISPTx陶瓷由三方钙钛矿结构逐渐变到四方结构,其三方-四方准同型相界分别位于x=0.60和x=0.62附近.在准同型相界附近,SPTx陶瓷的压电常数d33,机电耦合系数kp为分别为350pC/N和52.0%,而BISPTx的d33高达475pC/N,kp为52.3%.介电常数的温度特性测试表明,掺入Ga3+可以有效地提升BSPT体系的居里温度,其MPB组分(x=0.60)居里温度高达472℃,而掺入In3+对BSPT体系的居里温度影响则不明显.

参考文献

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