根据硅粉纯化的要求,提供了一种长落程和高反应速率的冷等离体反应器.工艺参数的选择着重于增大鞘层厚度、提高反应粒子浓度和控制抽气速率,因此,能有效的提高纯化反应的速率、粉料的回收率和粉粒一次沉降的时间.实验结果表明:该设备能将纯度为99%的工业硅纯化为约99.99%的太阳级硅.
参考文献
[1] | 王敬义;王宇;何笑明.全国固体薄膜会议文集[C].Chengde:Chinese Institute of Electronics,1990 |
[2] | 陶甫廷,王敬义,冯信华,罗文广,张巍,陈文辉,赵宁,尹盛.粉粒在等离子体中沉降的运动学分析[J].稀有金属材料与工程,2001(01):11-14. |
[3] | 王敬义,王宇,陶甫廷,陈文辉,张巍,冯信华,陶臻宇,尹盛.提高粉粒沉降过程中等离子体纯化能力的研究[J].稀有金属材料与工程,2001(04):253-256. |
[4] | Yuriy I Chutor;Willem Jan Goedheer .[J].IEEE PS,2003,31(04):606. |
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