硅多晶质量检测分析中的磷检电阻率曲线研究

人工晶体学报, 2015, 44(7): 1997-2004.

1.昆明冶研新材料股份有限公司,曲靖655011;云南省光电子硅材料制备技术企业重点实验室,曲靖655011

2.昆明冶研新材料股份有限公司,曲靖655011;云南省光电子硅材料制备技术企业重点实验室,曲靖655011;昆明理工大学材料科学与工程学院,昆明650093

3.昆明冶研新材料股份有限公司,曲靖655011;云南省光电子硅材料制备技术企业重点实验室,曲靖655011

4.昆明冶研新材料股份有限公司,曲靖655011;云南省光电子硅材料制备技术企业重点实验室,曲靖655011

基金项目: 云南省科技厅省院省校科技合作专项(2014IB003)

Research on Resistivity Curve of Phosphorus Examination in Poly-silicon Quality Inspection

本文对几种典型的实测电阻率曲线进行分析,利用普凡公式和补偿后净载流子导电模型对曲线的异常进行了合理解释并用低温红外检测结果进行了对比验证.采用硼磷杂质浓度补偿净值方法计算出的数据接近实测情况,电阻率特性曲线符合普凡公式描述的规律,可作为理论特性曲线使用.

上一张下一张

计量

作者相关

文章评分