低压MOCVD生长TiO2薄膜结构和电性能研究

功能材料, 2002, 33(3): 312-314.

低压MOCVD生长TiO2薄膜结构和电性能研究

许效红 ^1, , 王民 ^2, , 侯云 ^3, , 王栋 ^4, , 王弘 ^5, , 王卓 ^6,

1.山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100；山东大学,化学与化工学院,山东,济南,250100

2.山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100

3.山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100

4.山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100

5.山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100

6.山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100

关键词：金属有机化学气相沉积 , MOCVD , TiO2薄膜 , 金红石

Investigation of structure and dielectric properties of TiO2 thin films grown by LPMOCVD

采用低压MOCVD法沉积生长了TiO2薄膜,研究了Si衬底取向、退火温度、退火时间、退火气氛对其结构和电性能的影响.结果表明,500℃下沉积生长于Si(111)和Si(100)上的TiO2薄膜为锐钛矿相多晶膜,经过600℃以上退火处理后,均可转变为纯金红石相结构.其中,Si(111)上的TiO2薄膜更容易转变为金红石相结构,而Si(100)上的TiO2薄膜,需要更高的退火温度和更长的退火时间才能转变为金红石结构.结果还表明,退火气氛中的氧分压的大小对TiO2薄膜的结构无明显的影响.

参考文献

[1]	Rausch N;Burte E P .[J].Journal of the Electrochemical Society,1993,140(01):145-149.
[2]	Kim H S;Gilmer D C;Campbell S A et al.[J].Applied Physics Letters,1996(69):3860-3862.
[3]	Kim H S;Campbell S A;Gilmer D C et al.[J].Applied Physics Letters,1999,85(06):3278-3281.
[4]	Babelon P;Dequiedt A S et al.[J].Thin Solid Films,1998,322:63-67.
[5]	Fukuda H;Namioka S;Miura M et al.[J].Japanese Journal of Applied Physics,1999,38:6034-6038.

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Investigation of structure and dielectric properties of TiO2 thin films grown by LPMOCVD

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