欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

以乙炔炭黑和硅粉为原料,采用微波烧结技术合成制备了粒度不同的碳化硅粉体.研究了反应温度和保温时间对碳化硅粉体产率和粒度的影响.结果表明:在900℃反应30 min,所得产物的主要物相为β-SiC和仍残余少量金属Si.随着反应温度的升高,产物中SiC的含量不断增加,残余金属Si的含量则明显下降.当反应温度升高至1100℃以上时,则得到单相的β-SiC.在1200℃下反应5min,产物中主要物相为SiC,存在着少量未反应的金属Si,当反应时间延长到15 min时,即得到单相的β-SiC.

参考文献

[1] 宋祖伟,戴长虹,翁长根,姚东风.碳化硅陶瓷粉体的制备技术[J].青岛化工学院学报(自然科学版),2001(02):135-138.
[2] 李心慰,曲殿利,李志坚,吴锋,徐娜.合成碳化硅的热力学分析及碳化硅晶须生长的表征[J].人工晶体学报,2013(10):2160-2163,2169.
[3] 丘泰,龚亦农,徐洁,李远强.碳热还原法低温合成SiC粉末的研究[J].江苏陶瓷,2001(02):12-15.
[4] Jacob A. Johnson;Christine M. Hrenya;Alan W. Weimer .Intrinsic Reaction and Self-Diffusion Kinetics for Silicon Carbide Synthesis by Rapid Carbothermal Reduction[J].Journal of the American Ceramic Society,2002(9):2273-2280.
[5] 万隆,刘小磐,尹斌,张珍容,汪洋,陈建林.溶胶-凝胶法制备纳米碳化硅粉末的研究[J].陶瓷,2005(05):26-27,29.
[6] 郝斌,刘剑,刘进强,王福.微波烧结制备碳化硅晶须的影响因素[J].材料热处理学报,2013(08):1-5.
[7] 杨坤,杨筠,林志明,李江涛.机械活化燃烧合成SiC粉体的研究[J].无机材料学报,2007(02):263-267.
[8] 郝斌,刘剑,刘进强,王福.微波烧结制备碳化硅的影响因素[J].材料热处理学报,2013(z1):17-21.
上一张 下一张
上一张 下一张
计量
  • 下载量()
  • 访问量()
文章评分
  • 您的评分:
  • 1
    0%
  • 2
    0%
  • 3
    0%
  • 4
    0%
  • 5
    0%