GaAs基GaSb薄膜的分子束外延生长与发光特性

稀有金属材料与工程, 2007, 36(2): 339-343.

GaAs基GaSb薄膜的分子束外延生长与发光特性

熊丽 ^1, , 李美成 ^2, , 邱永鑫 ^3, , 张保顺 ^4, , 李林 ^5, , 刘国军 ^6, , 赵连城 ^7,

1.哈尔滨工业大学(威海),山东,威海,264209

2.哈尔滨工业大学,黑龙江,哈尔滨,150001

3.哈尔滨工业大学,黑龙江,哈尔滨,150001

4.长春理工大学,吉林,长春,130022

5.长春理工大学,吉林,长春,130022

6.长春理工大学,吉林,长春,130022

7.哈尔滨工业大学,黑龙江,哈尔滨,150001

基金项目: 国家高技术研究发展计划("863"计划)项目资助(2003AA305860) 国家自然科学基金(50272019)

关键词：分子束外延 , GaSb , 缓冲层 , 发光特性

MBE Growth and Luminescence Property of GaSb Thin Film Based on GaAs

研究了用分子束外延(MBE)在GaAs衬底上生长GaSb薄膜的工艺.为了减小因晶格失配度较大所引起的位错密度,采用低温GaSb作为缓冲层,有效降低了外延层中的位错密度,提高了晶体质量.通过X射线双晶衍射仪和原子力显微镜测试分析,得到低温GaSb缓冲层的优化生长参数:厚度为20 nm,生长速率为1.43 μm/h,Ⅴ/Ⅲ束流比为2.0.并在此基础上研究了GaSb薄膜的发光特性:GaSb薄膜的光致发光光谱主要由束缚激子(BE4)和施主一受主对(D-A)辐射复合发光峰组成,在50 K时其发光峰强度最强,半峰宽最窄.

参考文献

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