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用傅里叶红外吸收(FT-IR)光谱研究了等离子体化学气相沉积法(PECVD)制备的非晶siO2薄膜(a-SiO2)的Si-(O-Si键的红外吸收特性与膜厚的关系.Si-O-Si伸缩振动模在1050cm-1和1150cm-1附近分别有两个吸收峰,弯曲振动模在800cm-1附近有一个吸收峰.1050cm-1和1150cm-1吸收带的积分强度随着膜层的递增而增加,而800cm-1吸收带的积分强度不随膜层的递增而变化.因此我们推测薄膜密度不随膜厚而变化,1050cm-1吸收带的积分强度随着膜层的递增而增加的原因是由于1150 cm-1吸收带对1050cm-1吸收带的影响.另外,800cm-1和1050cm-1这两个吸收峰的表观吸收系数αapp被发现和膜厚d成正比:αapp=k×d.利用αapp和d的正比关系,PECVD a-SiO2的膜厚可用非破坏性的FT-IR快速方便地测定.

参考文献

[1] Powell M J;Easton B C;Hill O F .[J].Applied Physics Letters,1981,38:794.
[2] Smid V;Dung N M;Stourac L et al.[J].Journal of Non-Crystalline Solids,1980,70:1.
[3] Street R A;Tsai C C .[J].Applied Physics Letters,1986,48:1672.
[4] HeL;Inokuma T;Kurata Y et al.Solids[J].Journal of Non-Crystalline Solids,1995,185:249.
[5] HeL;InokumaT;Kurata Y et al.[J].Japanese Journal of Applied Physics,1996,35:1873.
[6] 何乐年.等离子体气相沉积非晶SiO2薄膜的特性研究[J].真空科学与技术学报,2000(04):247.
[7] MaleyN .[J].Physical Review,1992,1346:2078.
[8] LucovskyG;Yang J;ChaoSS et al.[J].Physical Review,1983,B28:3225.
[9] Tsu D V;Lucovsky G;Davison B N .Rev[J].Physical Review,1989,B40:1795.
[10] Lucovsky G;TsuDV .[J].Journal of Vacuum Science and Technology,1987,AS:2231.
[11] KirkCT .[J].Physical Review,1988,B38:1255.
[12] Martinet C;DevineR A B .[J].Journal of Applied Physics,1995,77:4343.
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