陶瓷衬底材料对多晶硅薄膜沉积质量的影响

1.清华大学深圳研究生院,深圳,510855;清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京,100084

2.清华大学深圳研究生院,深圳,510855;清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京,100084

3.清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京,100084

4.清华大学深圳研究生院,深圳,510855;清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京,100084

5.清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京,100084

6.北京市太阳能研究所,北京,100083

7.北京市太阳能研究所,北京,100083

基金项目: 北京市自然科学基金(2021001)

The Effects of Ceramic Substrates on The Quality of Deposited Polycrystalline Si Thin-film

通过对不同陶瓷衬底材料上沉积多晶硅薄膜性能的研究,分析了陶瓷材料本身的性质和热力学参数、晶体学参数等性能对多晶硅薄膜沉积质量的影响,在SiC衬底上制备了择优定向生长晶粒直径达190μm的多晶硅薄膜.

[1]	Beaucarne G.CVD-Growth of Crystalline Si on amorphous or Microcrystalline Substrates 14th European PV Solar Engergy Conference[J].Barcelona,1997:1007.
[2]	万之坚;黄勇;李海峰等.[J].稀有金属材料与工程,2003,32(Z1):525.
[3]	李海峰 .[J].稀有金属材料与工程,2003,32(Z1):537.

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