用于SiC晶体生长的高纯原料的合成及性能研究

人工晶体学报, 2013, 42(5): 819-823.

用于SiC晶体生长的高纯原料的合成及性能研究

高攀 ^1, , 刘熙 ^2, , 严成锋 ^3, , 忻隽 ^4, , 陈建军 ^5, , 孔海宽 ^6, , 郑燕青 ^7, , 施尔畏 ^8,

1.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海201899

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基金项目: 中国科学院上海硅酸盐研究所科技创新项目国家高技术研究发展计划(863计划)(2013AA031603)

关键词： SiC晶体 , 原料 , 粒径 , 堆积密度

Synthesis and Characterization of High Purity Raw Material Powder for Growth of SiC Crystal

SiC原料的纯度、粒径和晶型直接影响生长单晶的结晶质量和电学性质,尤其是高纯半绝缘本征SiC晶体的制备需要使用高纯SiC原料.本文采用超高温真空烧结炉,选择Si粉和C粉作为反应物,通过XRD、SEM、激光粒度测试仪和GDMS等测试手段研究了合成温度、压强、时间及原料配比等工艺条件对SiC颗粒成核、生长、晶型、粒径及堆积密度等综合性能的影响.结果表明,自合成的SiC原料一致性好、颗粒度均匀、纯度达到或超过5N.最后,使用自合成原料进行晶体生长,进一步证实其完全满足高质量半绝缘SiC晶体的制备.

参考文献

[1]	Nabil Sghaier;Jean-Marie Bluet;Erwan Morvan;Christian Brylinski .Study of trapping phenomenon in 4H-SiC MESFETs: dependence on substrate purity[J].IEEE Transactions on Electron Devices,2003(2):297-302.
[2]	Li WANG,Xiaobu HU,Xiangang XU,Shouzheng JIANG,Lina NING,Minhua JIANG.Synthesis of High Purity SiC Powder for High-resistivity SiC Single Crystals Growth[J].材料科学技术学报（英文版）,2007(01):118-122.
[3]	陈之战,施尔畏,肖兵,庄击勇.原料对碳化硅单晶生长的影响[J].无机材料学报,2003(04):737-743.
[4]	S. Ezaki;M. Saito;K. Ishino .CVD SiC Powder for High-Purity SiC Source Material[J].Materials Science Forum,2002(Pt.1):155-158.
[5]	Chen CC.;Li CL.;Liao KY. .A cost-effective process for large-scale production of submicron SiC by combustion synthesis[J].Materials Chemistry and Physics,2002(2/3):198-205.
[6]	陆树河 .无限微热源法合成β-SiC微粉的中试试验研究[D].西安科技大学,2009.

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