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采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波计算方法,结合广义梯度近似(GGA)对Ru2Si3掺入Mn的电子结构和光学性质进行了研究.计算结果表明:掺入这种杂质使得Ru2Si3的晶胞体积均有所增大.Ru2Si3中掺入Mn时,Mn原子替换RuI位的Ru原子使得体系处于稳定态,导电类型变为p型,静态介电函数ε1(0)非常大,同时折射率n0的值变化较大,达到了17.722.

参考文献

[1] 崔冬萌,谢泉,陈茜,赵凤娟,李旭珍.Ru_2Si_3电子结构及光学性质的第一性原理计算[J].中国科学G辑,2009(10):1431-1438.
[2] 崔冬萌,谢泉,陈茜,赵凤娟,李旭珍.Si(001)面上外延生长的Ru2 Si3电子结构及光学性质研究[J].光学学报,2009(11):3152-3156.
[3] Ivanenko L;Filonova A;Shaposhnikova V et al.[J].Microelectronic Engineering,2003,70:209.
[4] Hamann D R;Schluter M;Chiang C .[J].Physical Review Letters,1979,43(20):1494.
[5] Hendrik J Monkhorst;James D Pack .[J].Physical Review B:Condensed Matter,1976,13(12):5188.
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