硅气相浸渍反应制备SiC/C复合材料的研究

材料导报, 2010, 24(12): 26-28.

1.长安大学环境科学与工程学院化工系,西安,710054

2.西安交通大学材料科学与工程学院,西安,710049

3.海军驻合肥地区军事代表室,合肥,230031

基金项目: 中央高校基本科研业务费专项资金(CHD2009JC143) 国家自然科学基金(50572084)

Preparation of SiC/C Composites by Si Gaseous Infiltration

以滤纸和酚醛树脂为原料,经模压固化、碳化制备了具有三维不规则孔隙结构的多孔碳,再经过高温气相渗硅得到SiC/C复合材料.SEM结果表明,SiC/C复合体遗传了多孔碳前驱体的显微结构,同时SiC/C复合体具有较好的弯曲强度和气孔率.提出了一种简单的反应模型,对硅的气相反应和扩散过程进行了解释.

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