LGS晶体的化学腐蚀及缺陷分布

功能材料, 2003, 34(2): 184-186.

1.山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100

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基金项目: 国家重点基础研究发展计划(973计划)(G1998061403)

Chemical etching and defect distribution of langasite (La3Ga5SiO14) crystals

采用提拉法生长得到LGS单晶,采用磷酸作腐蚀剂,对LGS晶体做了一系列腐蚀实验.实验结果表明:对于不同方向晶面,腐蚀液的配比和腐蚀时间等条件各不相同.根据腐蚀坑可以判定.其极轴是二次轴[1120]方向,并可具体确定极轴方向.关于腐蚀坑的分布可以判定,在现行条件下生长的晶体具有较高的质量.

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