射频溅射工艺参数对AZO薄膜结构和性能的影响

功能材料, 2012, 43(12): 1553-1560.

射频溅射工艺参数对AZO薄膜结构和性能的影响

黄稳 ^1, , 余洲 ^2, , 刘连 ^3, , 张勇 ^4, , 黄涛 ^5, , 闫勇 ^6, , 赵勇 ^7,

1.西南交通大学超导研究开发中心材料先进技术教育部重点实验室,四川成都610031

2.西南交通大学超导研究开发中心材料先进技术教育部重点实验室,四川成都610031

3.西南交通大学超导研究开发中心材料先进技术教育部重点实验室,四川成都610031

4.西南交通大学超导研究开发中心材料先进技术教育部重点实验室,四川成都610031

5.西南交通大学超导研究开发中心材料先进技术教育部重点实验室,四川成都610031

6.西南交通大学超导研究开发中心材料先进技术教育部重点实验室,四川成都610031

7.西南交通大学超导研究开发中心材料先进技术教育部重点实验室,四川成都610031;新南威尔士大学材料科学与工程学院,澳大利亚悉尼2052

基金项目: 长江学者与创新团队计划资助项目(IRT0751) 国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2007AA03Z203) 国际自然科学基金资助项目(50588201,50872116) 高等学校博士点专项科研基金资助项目(SRFDP200806130023) 中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(SWJTU09BR155,SWJTU09ZT24)

关键词： AZO薄膜 , 晶体结构 , 电学性能

Influence of RF sputtering parameter on the structural and electrical properties of AZO thin film

采用射频磁控溅射法制备了掺铝氧化锌(AZO)薄膜,研究了衬底温度及溅射工作压强对沉积薄膜的晶体结构、表面形貌及电学性能的影响.结果显示,随衬底温度增加,薄膜的结晶结构发生显著变化,而溅射工作气压增加主要影响沉积薄膜(103)面与(002)面的相对强度.薄膜的表面形貌受温度影响严重,而气压对形貌的影响相对较小.衬底温度增加,薄膜的电阻率急剧降低,迁移率和载流子浓度都显著增加,而工作气压增加则导致电阻率先减小后增大.

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