三温区坩埚下降法生长Cd1-x Znx Te单晶体

功能材料, 2009, 40(1): 60-62.

三温区坩埚下降法生长Cd1-x Znx Te单晶体

邱春丽 ^1, , 赵北君 ^2, , 朱世富 ^3, , 王智贤 ^4, , 李新磊 ^5, , 何知宇 ^6, , 陈宝军 ^7, , 唐世红 ^8,

1.四川大学材料科学与工程学院,四川,成都,610064

2.四川大学材料科学与工程学院,四川,成都,610064

3.四川大学材料科学与工程学院,四川,成都,610064

4.四川大学材料科学与工程学院,四川,成都,610064

5.四川大学材料科学与工程学院,四川,成都,610064

6.四川大学材料科学与工程学院,四川,成都,610064

7.四川大学材料科学与工程学院,四川,成都,610064

8.四川大学材料科学与工程学院,四川,成都,610064

基金项目: 国家自然科学基金(60276030):) 教育部高等学校博士学科点专项科研基金(20020610023)

关键词： CdZnTe , 单晶生长 , 坩埚下降法 , 三温区

The growth of Cd1-xZnxTe single crystal with descending crucible method in three-temperature-zone furnace

CdZnTe晶体是一种性能优畀的室温核辐射探测器材料.在熔体法生长CdZnTe晶体的过程中,生长炉的内部温场分布对获得的晶体结构和性能有很大影响.根据CdZnTe晶体的生长习性,设计了三温区单晶炉,用坩埚下降法生长出CdZnTe单晶体.通过X射线衍射、红外透过率、I-V测试等分析研究,得到了红外透过率约为61%,腐蚀蚀坑密度(EPD)为104 cm-2,电阻率为109～1010 Ω·cm的Cd0.9 Zn0.1 Te单晶体.表明三温区坩埚下降法生长的单晶体结晶质量好、成分分布均匀、EPD低、红外透过性能好且电阻率高.

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