MoO3含量对VO2薄膜电阻率变化的影响

功能材料, 2010, 41(z2): 278-280.

1.攀枝花学院,生物与化学工程学院,四川,攀枝花,617000;四川省钒钛材料工程研究中心,四川,攀枝花,617000

2.攀枝花学院,生物与化学工程学院,四川,攀枝花,617000;四川省钒钛材料工程研究中心,四川,攀枝花,617000

3.攀枝花学院,生物与化学工程学院,四川,攀枝花,617000;四川省钒钛材料工程研究中心,四川,攀枝花,617000

Influence of MoO3 content for change of resistivity in VO2 thin films

研究了掺入MoO3时VO2薄膜电阻率的变化;建立了VO2薄膜电阻率突变数量级S随杂质含量变化的数学模型,进行了理论计算及与实测值的对比.结果表明,S随MoO3掺入量的增大而减小,采用该数学模型可以很好地预测S值的大小.

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