空位缺陷对单晶硅薄膜热导率影响的分子动力学模拟研究

材料导报, 2011, 25(12): 1-3.

1.哈尔滨工业大学卫星技术工程研究所,哈尔滨150001

2.哈尔滨工业大学卫星技术工程研究所,哈尔滨150001

基金项目: 长江学者和创新团队发展计划资助项目(IRT0520)

Molecular Dynamics Simulation of Vacancy Defect Effects on the Thermal Conductivities of Silicon Thin Films

采用非平衡分子动力学(NEME)方法及Tersoff势能函数模拟了微尺度下空位结构缺陷对单晶硅薄膜热导率的影响.结果表明,硅薄膜的热导率随空位浓度的增加而明显减小.当温度为300～700K时,随着温度的升高,空位浓度对热导率的影响以及同一空位浓度下温度对热导率的影响都逐渐减弱.

[1]	肖鹏,冯晓利,李志信.单晶硅薄膜法向热导率分子动力学研究[J].工程热物理学报,2002(06):724-726.
[2]	Volz S;Chen G .Molecular dynamics simulation of thermal conductivity of silicon crystals[J].Physical Review B,2000,61(04):2651.
[3]	Tang, QH .A molecular dynamics simulation: the effect of finite size on the thermal conductivity in a single crystal silicon[J].Molecular physics,2004(18):1959-1964.
[4]	David G. Cahill;Wayne K. Ford;Kenneth E. Goodson;Gerald D. Mahan;Arun Majumdar;Humphrey J. Maris;Roberto Merlin;Simon R. Phillpot .Nanoscale thermal transport[J].Journal of Applied Physics,2003(2):793-818.
[5]	Tersoff J .Empirical interatomic potential for carbon,with applications to amorphous carbon[J].Physical Review Letters,1988,61(25):2879.
[6]	Tersoff J .New empirical approach for the structure and energy of covalent system[J].Physical Review B,1998,37(12):6991.
[7]	徐跃飞,廖恒成.纳米薄膜面向导热系数的分子动力学模拟[J].传感技术学报,2006(05):1670-1672,1676.

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