采用CS-400型射频磁控溅射仪在Si(111)和石英基底上成功的制备了ZnO薄膜,分别用XRD、SEM、紫外-可见光分光光度计和荧光分光光度计表征样品的结构和光学性质.实验表明,采用射频磁控溅射制备的ZnO薄膜具有六角纤锌矿结构的(002)峰和(101)峰的两种取向.在沉积气压>1.0Pa时所制备的ZnO薄膜具有(002)择优取向,并且十分稳定.SEM图表明,ZnO薄膜颗粒大小较为均匀,晶粒尺寸随着气压升高而变小,沉积气压不同时,薄膜样品的生长方式有所差异.在400~1000nm范围内,可以看出除O.5Pa下制备的ZnO薄膜外,其余ZnO薄膜在可见光区域的平均透过率超过80%,吸收边在380nm附近,所对应的光学带隙约为3.23~3.27eV,并随着沉积气压上升而变大.ZnO薄膜的PL谱上观察到了392nm的近紫外峰和419nm的蓝峰;沉积气压对Zno薄膜的发光峰位和峰强有影响.
参考文献
[1] | Jou J H;Han M Y;Cheng D J .[J].Journal of Applied Physics,1992,71:4333. |
[2] | 叶志镇,陈汉鸿,刘榕,张昊翔,赵炳辉.直流磁控溅射ZnO薄膜的结构和室温PL谱[J].半导体学报,2001(08):1015-1018. |
[3] | Lohmann R;Thoma K et al.[J].Mater Sei Eng A,1991,139:259. |
[4] | Maniv S;DWestwood W;Colombini E J .[J].Vac Sci Techno l,1982,20(02):162. |
[5] | Manlv S;Westwood W D;Colombini E J .[J].Journal of Vacuum Science and Technology,1982,20(02):162. |
[6] | 袁洪;肖定全;朱建国 等.[J].薄膜科学与技术,1992,5(02):44. |
[7] | 营井秀郎.等离子体电子工程学[M].北京:科学出版社,2002 |
[8] | Meng X D;Lin B;Fu Z X .[J].Journal of Luminescence,2007,126:203. |
[9] | ZHANG Guo-Bin,HAN Zheng-Fu,SHI Jun-yan,SHI Chao-Shu,M.Kirm,G.Zimmerer.Photoluminescent Properties of ZnO Films Deposited on Si Substrates[J].中国物理快报(英文版),2001(03):441-442. |
[10] | Lin Bixia;Fu Zhuxi;Jia Yunbo .[J].Applied Physics Letters,2001,79(07):943. |
[11] | Ohring M.Materials Science of Thin Films[M].the United States of America,1991:509-514. |
[12] | Dietl T;Ohno H;Matsukura F et al.[J].Science,2000,287:1019-1022. |
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