在测定Ni-diamond复合电沉积体系阴极极化曲线、电化学阻抗谱及微分电容曲线等基础上,分析了搅拌强度对界面双电层的影响规律,推断出复合量随搅拌强度增强的变化趋势,以此探讨搅拌强度在Ni-diamond复合电沉积中的电化学行为.结果表明:Ni-diamond复合体系于搅拌强度在440～480 r/min时具有更大的阴极极化、更大的法拉第电阻及更低的双电层电容,致使微粒具有更高的电泳速度,且此时阴极表面在析出电位附近荷正电,而过强或过弱的搅拌均使电极表面荷负电.电化学测试结果表示搅拌强度在440～480 r/min时可具有更高的复合量,工艺实验结果与电化学测试结果相吻合.
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