铝诱导非晶硅薄膜低温晶化及结构研究

功能材料, 2001, 32(4): 447-448.

1.华中理工大学电子科学与技术系,

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Study on aluminuminduced crystallization of amorphous silicon thin films at low temperature and their structure

介绍了一种非晶硅薄膜低温晶化的新工艺--金属诱导非晶硅薄膜低温晶化.在非晶硅膜上蒸镀金属铝薄膜,而后于氮气保护中退火,实现了非晶硅薄膜的低温(＜600℃)晶化.利用X射线衍射、光学显微镜及透射电镜等测试方法,研究了不同退火工艺对非晶硅薄膜低温晶化的影响,确定了所制备的是多晶硅薄膜.

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