纳米Si薄膜的结构及压阻效应

材料研究学报, 1996, 10(1): 33-38.

纳米Si薄膜的结构及压阻效应

何宇亮 , 林鸿溢 , 武旭辉 , 余明斌 , 于晓梅 , 王珩 , 李冲

北京航空航天大学非晶态物理与光信息研究室

北京理工大学电子工程系

西安交通大学电子工程系

基金项目: 国家自然科学基金

关键词：纳米Si薄膜 , null , null , null

THE STRUCTURE AND PIEZO-RESISTANCE EFFECT OF HYDROGENATED NANO-Si FILMS

HE Yuhang , WU Xuhui , LIN Hongyi , YU Mingbin , YU Xiaomei , WANG Heng , LI Chong (The Amorphous Physics Research Lab

Keywords： : an-rystalline silicon film peizo-resistance effect micro-structure freely supported method , 压阻效应 , 微结构 , 简支梁法

使用HREM及STM技术检测了纳米Si薄膜的微结构纳米Si薄膜由大量的细微Si晶粒以及大量的晶粒间界面区组成.这一特殊的结构造成纳米Si薄膜具有较大的压阻效应及较高氢含量.本文分析讨论了薄膜微结构对其压阻效应的作用,并认为纳米Si薄膜材料将是一种理想的传感器材料

In this report Authors employed the HREM and STM to detect the micro-structure of nc-Si:H films, which are fabricated by the PECVD deposition method. The nc-Si:H films are consisted with a mass of micro-grains and a great deal of interfaces among grains.

参考文献

[1]

何宇亮,刘湘娜,王志超等中国科学(A辑),1992、(9):9952HeYuliangYinChenzhong,ChengGuangruetaLJApplPhys,1994,75(2):7973何宇亮,褚一鸣,王中怀等．半导体学报．1994,15(1):714BaiCL,WangZH,HeYLetalJVacSciTechnolB,1994,12(3):18235刘湘娜,何宇亮,王富朝等．物理学报,1993,42(12):19796余明斌,何宇亮,刘洪涛．物理学报,1995,44(4):6347何宇亮,武旭辉,林鸿溢．科学通报,1995,40(7):6058HeYuliang,ChuYiming,LinHongyietal．ChinPhysLett1993,10(9):5399何宇亮,孙勤生,韦亚一等．1994秋季中国材料研讨会文集Ⅱ卷一分册,北京:化学工业出版社,995:31410JohnYWSeto．JApplPhys1975,46(12):524711何宇亮,殷晨钟,程光煦等．半导体学报,1992,13(11):68312刘刚,余岳辉等．半导体器件北京:电子工程出版社,1990年第6章F

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