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选用最大粒度为40 μm的Fe73.5Cu1Nb1.5Si13.5B9Mo1.5粉体和硅橡胶混合制备的磁性薄膜作为压磁层.同时用Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶薄膜作为压电层.测试频率范围从10 kHZ到1 MHz,并且压应力从0~0.14 MPa.比较了两组层合结构的微应力阻抗效应,其中包括:压磁/压电/压磁层合结构和压电/压磁/压电层合结构.结果证明两组层合结构都存在不同程度的磁电耦合效应.在压应力小于0.02MPa时,磁电耦合效应随压应力增大而增大,大于0.02 MPa时,磁电耦合效应达到极大值,同时它对微应力阻抗效应贡献不明显.因为两组层合结构具有各自不同的磁电耦合体系,压磁/压电/压磁层合结构以压磁效应影响阻抗为主而压电/压磁/压电层合结构以压电效应影响阻抗为主.

参考文献

[1] Panina LV.;Mohri K. .Magneto-impedance in multilayer films[J].Sensors and Actuators, A. Physical,2000(1/3):71-77.
[2] Clark A.E.;Wun-Fogle M. .A new method of magnetostrictivity and magnetostriction measurement[J].IEEE Transactions on Magnetics,1989(5):3611-3613.
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