n型掺杂BaSnO3的电子结构和光学性能的第一性原理研究

稀有金属材料与工程, 2014, 43(6): 1387-1391.

n型掺杂BaSnO3的电子结构和光学性能的第一性原理研究

谭兴毅 ^1, , 高雁军 ^2, , 陈长乐 ^3, , 金克新 ^4,

1.湖北民族学院,湖北恩施445000

2.湖北民族学院,湖北恩施445000

3.西北工业大学凝聚态结构与性质陕西省重点实验室,陕西西安710129

4.西北工业大学凝聚态结构与性质陕西省重点实验室,陕西西安710129

关键词：透明导电材料 , 电子结构 , 光学性质

First-Principles Calculations of Electronic Structure and Optical Properties of n-type Doped BaSnO3

Keywords： transparent conductive material , electronic structures , optical properties

基于密度泛函理论,从头计算了La以及Nb掺杂BaSnO3的稳定性、电子结构和光学性质.结果表明La以及Nb掺杂BaSnO3体系结构稳定,均为n型导电材料,在可见光区透过率大于80％,且La以及Nb掺杂BaSnO3明显改善了体系的导电性.计算结果为实验制备n型BaSnO3基透明导电材料提供了理论指导.

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