宽带隙化合物半导体Zn1-xMgxO薄膜的制备

人工晶体学报, 2008, 37(6): 1361-1364.

宽带隙化合物半导体Zn1-xMgxO薄膜的制备

边楠 ^1, , 张晓丹 ^2, , 张霞 ^3, , 赵颖 ^4, , 杨瑞霞 ^5,

1.南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071,南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071;光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学,天津大学),天津 300071;河北工业大学信息学院,天津,300130

2.南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071,南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071;光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学,天津大学),天津 300071

3.南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071,南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071;光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学,天津大学),天津 300071;河北工业大学信息学院,天津,300130

4.南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071,南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071;光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学,天津大学),天津 300071

5.河北工业大学信息学院,天津,300130

基金项目: 教育部跨世纪优秀人才培养计划国家重点基础研究发展计划(973计划)(2006CB202602;2006CB202603) 天津市自然科学基金(05YFJMTC01600) 科技部国际科技合作计划(2006DFA62390) 天津市重点科研项目(06YFJZJC01700) 南开大学校科研和教改项目(J02031) 国家高技术研究发展计划(863计划)(2007AA05Z436) 国家自然科学基金(60506003)

关键词：超声喷雾热分解 , Zn1-xMgxO薄膜 , 宽带隙半导体 , 禁带宽度

Fabrication of Wide Band-gap Semiconductor Zn1-xMgxO Thin Film

利用超声雾化热分解技术,在玻璃衬底上生长出宽带隙的Zn1-xMgxO薄膜.所有样品在可见光范围内的透过率可达到85%以上.X射线衍射的测试结果表明所有样品都具有c轴择优生长特性,并且随薄膜中Mg含量的不同出现规律性变化.光致发光谱表明Mg掺入后ZnO薄膜的紫外发射峰出现了蓝移,实现了对禁带宽度的调节.

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