研究了金属化烧结温度对掺锰铬陶瓷的封接性能的影响,初步分析了其影响原因与机理.结果表明:掺锰铬高氧化铝陶瓷对于MoMnSi配方的金属化反应活性高,1300℃是其最佳金属化温度,温度降低和升高都会导致封接性能降低.在最佳温度,金属化层烧结致密,金属化层与陶瓷间形成了主要由锰尖晶石(MnO·Al2O3)和少量硅氧化物构成的过渡层结构,从而将金属化层与陶瓷有效地连接在一起.温度升高使金属化层过度收缩会形成大量孔洞,元素氧化加剧,不利于过渡层的形成,导致封接性能大大降低.
参考文献
| [1] | 雷杨俊,肖定全.真空中氧化铝陶瓷表面耐压试验研究[J].绝缘材料,2004(03):29-31,35. |
| [2] | 刘联宝;杨钰平.陶瓷-金属封接技术指南[M].北京:国防工业出版社,1990:69. |
| [3] | 高陇桥;硅酸盐学会.陶瓷-金属封接论文集[M].,1999:1. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%