CoNbZr非晶软磁薄膜晶化动力学研究

功能材料, 2005, 36(2): 200-202.

CoNbZr非晶软磁薄膜晶化动力学研究

蒋向东 ^1, , 张怀武 ^2, , 文歧业 ^3, , 钟智勇 ^4, , 杨争 ^5, , 唐晓莉 ^6,

1.电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054

2.电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054

3.电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054

4.电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054

5.四川大学,分析测试中心,四川,成都,610041

6.电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054

基金项目: 国家重点基础研究发展计划(973计划)(51310Z05-1)

关键词：晶化动力学 , 纳米晶 , 软磁薄膜

The study of crystallization kinetics of CoNbZr amorphous soft magnetic thin films

采用DSC热分析技术,结合XRD、TEM和AFM实验,对磁控溅射制备的Co85.5Nb8.9Zr5.6非晶合金软磁薄膜进行了变温和等温晶化动力学的研究.研究结果表明:升温晶化时,薄膜的晶化的表观激活能为99.82kJ/mol;局域激活能随晶化度增加;在等温晶化过程中,平均激活能为88.51kJ/mol,Avrami指数1.17～1.39,晶化行为主要是一维表面晶化,晶核长大受扩散控制的过程.

参考文献

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CoNbZr非晶软磁薄膜晶化动力学研究

The study of crystallization kinetics of CoNbZr amorphous soft magnetic thin films

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