MoSi2价电子结构分析及结合能计算

中国有色金属学报, 2007, 17(2): 216-221.

MoSi2价电子结构分析及结合能计算

彭可 ^1, , 易茂中 ^2, , 陶辉锦 ^3, , 冉丽萍 ^4,

1.中南大学,粉末冶金国家重点实验室,长沙,410083

2.中南大学,粉末冶金国家重点实验室,长沙,410083

3.中南大学,材料科学与工程学院,长沙,410083

4.中南大学,粉末冶金国家重点实验室,长沙,410083

基金项目: 高等学校博士学科点专项科研项目(20040533006) 国家自然科学基金(50472078)

关键词：二硅化钼 , 价电子 , 结合能 , 脆性

Valence electronic structure analysis and cohesive energy calculation of MoSi2

根据固体与分子经验电子理论,通过键距差(BLD)方法,计算了金属间化合物MoSi2的价电子结构和理论结合能.结果表明,MoSi2理论结合能为1 677.1 kJ/mol,与实验值吻合.由于Si原子偏移,沿〈001〉方向分布的Si-Si原子键共价电子数最多,nD=0.402 04.MoSi2晶体中含有较高密度的晶格电子,使MoSi2具有良好的导电性.MoSi2晶体中键络分布不均匀性是导致晶体脆性的主要原因.

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