由于经济和技术的发展,深亚微米集成电路要求硅单晶材料向大直径和无(少)缺陷方向发展.综述了深亚微米集成电路用硅单晶材料的研究和发展,指出对于已开始应用的3∞毫米硅单晶而言,磁场拉晶、计算机模拟、线切割、双面抛光等工艺成为大直径硅单晶研制的重要特征;利用晶体生长速率和固液界面的温度梯度的设计,硅单晶中的自间隙硅原子、空位以及相关的微缺陷可以被控制;通过快速热处理,引入和控制空位,进而控制氧沉淀的新型内吸杂技术,可以制备高质量的表面清洁区;利用氮杂质掺杂,可以抑制硅单晶中VOID缺陷和增加硅片的机械强度.最后,还讨论了硅单晶材料的今后的研究方向和趋势.
参考文献
| [1] | ITRS .International technology roadmap for semiconductor[Z].,2000. |
| [2] | HahnP.[J].Microelectronic Engineering,2001 |
| [3] | Voronkov V V .[J].Journal of Crystal Growth,1982,59:625. |
| [4] | Voronkov V V;Falster R .[J].Journal of Applied Physics,1999,86:5975. |
| [5] | Voronkov V V;Falster R .[J].Journal of Crystal Growth,1981,74:76. |
| [6] | Puzanov N I;Eidenzon A M.[J].Semiconductor Science and Technology,1992 |
| [7] | Istratov AA.;Hieslmair H.;Weber ER.;Flink C. .Intrinsic diffusion coefficient of interstitial copper in silicon[J].Physical review letters,1998(6):1243-1246. |
| [8] | Bergholz W;Gilles D .[J].Physica Status Solidi,2000,B222:5. |
| [9] | Tan T Y;Gardner E E;Tice W K .[J].Applied Physics Letters,1977,30:175. |
| [10] | Giller D;Weber E R et al.[J].Physical Review Letters,1990,64:196. |
| [11] | Falster R;Voronkov V V;Quast F .[J].Physica Status Solidi,2000,B222:219. |
| [12] | Yang Deren;Lu Jun;Li liben et al.[J].Applied Physics Letters,1991,59:1227. |
| [13] | Yang Deren;Que Duanlin;Koji Sumino .[J].Journal of Applied Physics,1995,77:943. |
| [14] | Yang Deren;Fan Ruixin;Li Liben et al.[J].Applied Physics Letters,1996,68:487. |
| [15] | Yang Deren;Fan Ruixin;Li Liben et al.[J].Journal of Applied Physics,1996,80:1493. |
| [16] | Yang Deren;Que Duanlin;Koji Sumino .[J].Physica Status Solidi,1998,B210:295. |
| [17] | Zhang Xiwen;Yang Deren;QUE Duanlin .[J].Journal of Applied Physics,1998,84:5502. |
| [18] | Yang Deren;Que Duanlin .[J].Physica Status Solidi,1999,A171:203. |
| [19] | Yang Deren;Fan Ruixin;Ma Xiangyang et al.[J].Materials Science and Engineering,2000,B72:121. |
| [20] | Park B M;Seo G H;Kim G .[J].Journal of Crystal Growth,2001,222:74. |
| [21] | Ikari A;Nakai K;Tachikawa Y et al.[J].Solid State Phenomena,1999,69:161. |
| [22] | Yang Deren;Ma Xiangyang;Fan Ruixin et al.[J].Physica,1999,B273:308. |
| [23] | Aihara K;Takeno H;Hayamizu Y et al.[J].Journal of Applied Physics,2000,88:3705. |
| [24] | Yang Deren;Fan Ruixin;Shen Yijun et al.[J].High Pressure Research,2000,17:357. |
| [25] | GotoH;Pan L S;Tanaka M et al.[J].Japanese Journal of Applied Physics,2000,40:3944. |
| [26] | Li Dongsheng;Yang Deren;QUE Duanlin .[J].Physica,1999,B274:553. |
| [27] | Lu Huanming;Yang Deren;Li Liben et al.[J].Physica Status Solidi,1998,A169:193. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%