连续含铝SiC自由膜的制备与发光特性研究

功能材料, 2008, 39(11): 1781-1788.

连续含铝SiC自由膜的制备与发光特性研究

姚荣迁 ^1, , 冯祖德 ^2, , 张冰洁 ^3, , 林宏毅 ^4, , 李思维 ^5, , 余煜玺 ^6, , 张立同 ^7,

1.厦门大学,福建省特种先进材料重点实验室,福建,厦门,361005;厦门大学,材料学院,福建,厦门,361005;厦门大学,化学化工学院,福建,厦门,361005

2.厦门大学,福建省特种先进材料重点实验室,福建,厦门,361005;厦门大学,材料学院,福建,厦门,361005

3.厦门大学,福建省特种先进材料重点实验室,福建,厦门,361005;厦门大学,材料学院,福建,厦门,361005

4.厦门大学,福建省特种先进材料重点实验室,福建,厦门,361005;厦门大学,材料学院,福建,厦门,361005

5.厦门大学,福建省特种先进材料重点实验室,福建,厦门,361005;厦门大学,材料学院,福建,厦门,361005;厦门大学,化学化工学院,福建,厦门,361005

6.厦门大学,福建省特种先进材料重点实验室,福建,厦门,361005;厦门大学,材料学院,福建,厦门,361005

7.厦门大学,化学化工学院,福建,厦门,361005

基金项目: 国家自然科学基金(50532010) 国家自然科学基金(9140A12040107QT87)

关键词：聚铝碳硅烷 , 先驱体法 , 碳化硅自由膜 , 光致发光

Fabrication and photoluminescence properties of continuous freestanding SiC(Al) films

通过自制喷膜装置对聚铝碳硅烷(PACS)进行脱泡处理、熔融纺膜,并对其进行氧化交联、高温预烧及高温裂解终烧可制得连续含铝SiC自由薄膜.用扫描电镜(SEM)分析薄膜的形貌,通过红外光谱(FT-IR)分析氧化交联后薄膜的结构变化,通过电子探针(EPMA)、拉曼光谱(Raman)、X射线衍射(XRD)与场发射高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对薄膜进行成分及微观结构分析,采用光致发光谱(PL)对薄膜的光学带隙和发光特性进行了研究.结果表明,熔融纺膜法与PACS先驱体法相结合可制得均匀、致密的耐高温连续舍铝SiC自由薄膜,室温下表现出了320～440nm宽谱带发光,其发光峰可分别归因于α-SiC和C簇,且随着烧结温度的提高,发光强度增大.

参考文献

[1]	王娟,冯坚,杨大祥,张长瑞.纳米多孔二氧化硅薄膜的制备与表征[J].功能材料,2005(01):54-56.
[2]	Harris C I;Savage S;Konstantinov A et al.[J].Applied Surface Science,2001,184:393-398.
[3]	Derycke V;Soukiassian P O;Amy F.[J].Nature,2003(02):253-258.
[4]	沙振东,吴雪梅,诸葛兰剑.退火温度对SiC薄膜结构和光学特性的影响[J].微细加工技术,2006(01):23-26.
[5]	Suzuki H;Araki H;Tosa M;Noda T .SiC film formation from fluorosilane gas by plasma CVD[J].Journal of Crystal Growth,2006(2):464-468.
[6]	李晋闽.SiC材料及器件研制的进展[J].物理,2000(08):481-487.
[7]	Matsumoto T;Takahashi J;Tamaki T et al.[J].Applied Physics Letters,1994,64(02):226-228.
[8]	Golecki I;Reidinger F;Marti J .[J].Applied Physics Letters,1992,60(14):1703-1705.
[9]	Colombo P;Paulson T E;Pantano C G .[J].Journal of the American Ceramic Society,1997,80:2333-2340.
[10]	Radoslaw A. Wach;Masaki Sugimoto;Masahito Yoshikawa .Formation of Silicone Carbide Membrane by Radiation Curing of Polycarbosilane and Polyvinylsilane and its Gas Separation up to 250 deg C[J].Journal of the American Ceramic Society,2007(1):275-278.
[11]	Wu X M;Dong Y M;Zhuge L J et al.[J].Applied Physics Letters,2001,78:4121-4123.
[12]	Vu Yuxi;Tang Xueyuan;Li Xiaodong.[J].Composites Science and Technology,2008
[13]	Koji Inoue;Akira Yamaguchi .Synthesis of Al_4SiC_4[J].Journal of the American Ceramic Society,2003(6):1028-1030.
[14]	张志敏,谢二庆,林洪峰,马紫微,叶凡,贺德衍.多孔β-SiC薄膜的蓝光发射[J].半导体学报,2003(09):942-945.
[15]	Torchynska TV;Cano AD;Dybic M;Ostapenko S;Mynbaeva M .Stimulation of excitonic and defect-related luminescence in porous SiC[J].Physica, B. Condensed Matter,2006(0):367-369.
[16]	于威,何杰,孙运涛,韩理,傅广生.脉冲激光退火纳米碳化硅的光致发光[J].光谱学与光谱分析,2005(04):506-508.
[17]	Zhuge LJ;Wu XM;Li Q;Wang WB;Xiang SL .Origin of violet photoluminescence in SiO2 films co-doped with silicon and carbon[J].Physica, E. Low-dimensional systems & nanostructures,2004(1/2):86-91.
[18]	姚荣迁,唐学原,王艳艳,冯祖德,张立同.Hi-Nicalon SiC纤维高温热处理后的断裂机理研究[J].金属热处理,2007(08):55-58.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网