反应液加入H2O2制备本征SnO2高阻薄膜

功能材料, 2004, 35(z1): 1148-1150.

反应液加入H2O2制备本征SnO2高阻薄膜

郝瑞英 ^1, , 雷智 ^2, , 郑家贵 ^3, , 冯良桓 ^4, , 蔡伟 ^5, , 武莉莉 ^6, , 张静全 ^7,

1.四川大学,材料科学与工程学院,四川,成都,610064

2.四川大学,材料科学与工程学院,四川,成都,610064

3.四川大学,材料科学与工程学院,四川,成都,610064

4.四川大学,材料科学与工程学院,四川,成都,610064

5.四川大学,材料科学与工程学院,四川,成都,610064

6.四川大学,材料科学与工程学院,四川,成都,610064

7.四川大学,材料科学与工程学院,四川,成都,610064

基金项目: 国家高技术研究发展计划(863计划)(2003AA513010) 国家自然科学基金(50076030)

关键词： H2O2 , SnO2 , 超声喷雾热分解技术

High resistivity SnO2 films prepared with H2O2 being joined into the solution

在反应液中加入H2O2,用超声喷雾热分解技术制备了SnO2高阻薄膜.结合XRD图谱,方块电阻测试,透光率测试以及Tauc曲线分析的结果,发现反应液中加入H2O2制备的SnO2薄膜,膜质较好,样品在(200)晶面有明显的择优取向;电阻率有明显提高,为12～13 Ω·cm;透光率与一般的透明导电膜并没有很大差别.

参考文献

[1]	冯良桓,蔡伟,郑家贵,蔡亚平,黎兵,张静全,武莉莉,朱居木,邵烨.碲化锌复合背接触层对碲化镉太阳电池性能的影响[J].太阳能学报,2001(04):403-408.
[2]	邵烨;郑家贵;张静全等.Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体光伏材料Cd1-xZnxTe薄膜的研究[J].材料科学与工艺,2001,9:473-475.
[3]	Lewis B G.Applications and processing of transparent conducting oxides[J].MRS Bulletin,2000
[4]	Hiroshi Kawazoe;Hiroshi Yanagi;Kazushige Ueda;Hideo Hosono .Transparent p-Type Conducting Oxides: Design and Fabrication of p-n Heterojunctions[J].MRS bulletin,2000(8):28-36.
[5]	郭玉忠,王剑华,黄瑞安,王贵青.掺杂SnO2透明导电薄膜电学及光学性能研究[J].无机材料学报,2002(01):131-138.
[6]	Svane A;Antoncik J E .[J].Physical and Chemistry of Solids,1987,48(02):171-180.
[7]	A.J. Freeman;K.R. Poeppelmeier;T.O. Mason;R.P.H. Chang;T.J. Marks .Chemical and Thin-Film Strategies for New Transparent Conducting Oxides[J].MRS bulletin,2000(8):45-51.
[8]	Timothy J. Coutts;David L. Young;Xiaonan Li .Characterization of Transparent Conducting Oxides[J].MRS bulletin,2000(8):58-65.
[9]	Zhang D H Ma H L .Scattering mechanisms of charge carriers in transparent conducting oxide films[J].Applied Physics A:Materials Science and Processing,1996,62:487-492.

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High resistivity SnO2 films prepared with H2O2 being joined into the solution

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