配合物热分解制备氮化镓纳米线及其生长机理研究

功能材料, 2005, 36(5): 714-716.

1.山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100

2.山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100

3.山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100

4.山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100

5.山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100

基金项目: 国家自然科学基金(50302005,90206042) 山东省优秀中青年科学家科研奖励基金(03BSD75)

Pyrolysis approach to GaN nanowires with VLS mechanism

报道了利用VLS生长机制,在NH3气氛中,由配合物GaCl3·NH3在高温下热分解反应成功制备了GaN纳米线,利用X射线衍射(XRD)、高分辨电镜(HRTEM)、X射线能谱(EDS)等分析手段对产物进行了表征,并对氮化镓纳米线的VLS生长机理进行了探讨.

[1]	Iijima S .[J].Nature,1991,354:56.
[2]	Leek A T;Nikolaevet P .[J].科学(上海),1996,273:483.
[3]	Li W Z;Xie S S;Qian L X .[J].科学(上海),1996,274:1701.
[4]	Ren N Z;Xu Z P;Xu J W et al.[J].Applied Physics Letters,1999,75(08):1086.
[5]	张立德;牟季美.纳米材料与纳米结构[M].北京:科学出版社,2001
[6]	Nakamura S;Senoh M;Nagahama S et al.[J].Japanese Journal of Applied Physics,1996,35:L217.
[7]	Nakamura S .[J].科学(上海),1998,281:956.
[8]	Ponce F A;Bour D P .[J].Nature,1997,386:351.
[9]	Han W Q;Fan S S;Li Q Q .[J].科学(上海),1997,277:1287.
[10]	Duan XF.;Lieber CM. .Laser-assisted catalytic growth of single crystal GaN nanowires[J].Journal of the American Chemical Society,2000(1):188-189.
[11]	Chen X H;Yu D P et al.[J].Advanced Materials,2003,15:419.
[12]	Wagner R S;Ellis W C;Jackson K A et al.[J].Journal of Applied Physics,1964,35:2993.
[13]	Wagner R S;Ellis W C .[J].Applied Physics Letters,1964,4:89.
[14]	Goldstein A N;Echer C M;Alivisatos A P .[J].科学(上海),1992,256:1425.
[15]	Robert C W;Melvin J A.CRC Handbook of Chemistry and Physics[M].Boca Raton: 63rd Edition, CRC Press Inc,1982

上一张下一张

计量

作者相关

文章评分