分离送入甲烷和氢气的热丝法沉积金刚石膜

材料研究学报, 1997, 11(3): 331-333.

分离送入甲烷和氢气的热丝法沉积金刚石膜

陈广超 , 黄荣芳 , 闻立时

中国科学院金属研究所

基金项目: 国家自然科学基金!59392800；辽宁省科学技术委员会资助；中科院金属腐蚀与防护国家重点实验室资助

关键词：热丝法 , null , null , null , null

DEPOSITION DIAMOND FILM BY HFCVD WITH SEPARATE INLET OF CH_4 AND H_2

CHEN Guangchao , HUANG Rongfang , WEN Lishi (Institute of Metal Research

Keywords： HFCVD inlet resistance crystal zone , 分离 , 电阻 , 晶形 , 生长区

采用热丝法沉积金刚石膜.分离送入氢气和甲烷.使作为发热体的钨丝电阻值比经典的热丝法降低20%.用此法制得的金刚石晶形较好.实验表明:反应气体的流量对膜的致密生长区影响很大.

HFCVD metliod was employed to deposit diamond film on silicon substrate. The design of in-letting H2 and CH4 separetely was applied, which made the resistanee of tungsten filament dccrease to 20%,compared to that of HFCVD with mixture inletting. Moreover,

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