在绝缘材料表面涂布活化催化膜、通过光选择性活化,然后在无电解电镀溶液中沉积金属电路是高密度封装和3-维MID(mould interconnection devices)内联最理想的方法之一,但目前所采用的光源多为激光束,使用波长均在300nm以下,大规模实用有一定困难.本工作选择了3种Pd盐作为活性催化剂,研究使用紫外光I-线和g-线在ABS树脂上沉积铜线路的方法.实验结果表明,PdI具有对紫外光敏感性,单独用作活化催化剂时可在ABS上沉积负性金属铜图形,当它和SnCI复合使用时可沉积正性金属线路.另外两种钯盐PdCI和Pd(Ac)对所用光源没有光选择性活化特性.
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