利用垂直Bridgman法生长了HgInTe单晶体,并采用X射线衍射分析、FT-IR光谱分析对晶体的形态结构及红外透过性能进行了检测,结果表明所生长的晶体是高质量的单相完整单晶体,其在400～4000cm-1范围内的红外透过性能较好,达到50%～55%,晶体对红外光的吸收主要为晶格吸收和自由载流子吸收引起的.
参考文献
| [1] | Wang Linghang;Jie Wanqi .[J].Journal of Crystal Growth,2006,290:203. |
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| [3] | 莫党.固体化学[M].北京:高等教育出版社,1994:45. |
| [4] | 孙以材.半导体测试技术[M].北京:冶金工业出版社,1984:225. |
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