Ti含量对CaCu3TixO12陶瓷介电性能的影响

功能材料, 2010, 41(5): 804-807.

Ti含量对CaCu3TixO12陶瓷介电性能的影响

熊利蓉 ^1, , 晁小练 ^2, , 井启红 ^3, , 杨祖培 ^4,

1.陕西师范大学,化学与材料科学学院,陕西省大分子科学重点实验室,陕西,西安,710062

2.陕西师范大学,化学与材料科学学院,陕西省大分子科学重点实验室,陕西,西安,710062

3.陕西师范大学,化学与材料科学学院,陕西省大分子科学重点实验室,陕西,西安,710062

4.陕西师范大学,化学与材料科学学院,陕西省大分子科学重点实验室,陕西,西安,710062

基金项目: 陕西省自然科学基金(2009JZ003) 国家自然科学基金(20771070)

关键词： CaCu3TixO12 , 相结构 , 微观结构 , 电学性能

The effect of Ti content on dielectric properties of CaCu3TixO12 ceramics

采用传统固相法成功地制备了CaCu3TixO12(x=3.85、3.90、3.95、4.00、4.05)巨介电陶瓷,系统探讨了Ti含量对CaCu3TixO12陶瓷相结构、显微结构和介电性能的影响.通过XRD分析表明,当x＜4.00时,CaCu3TixO12出现了第二相(Cu2O);当x≥4.00时,获得了纯相.利用SEM和EDX分析,结果表明,当x＜4.00时,陶瓷晶界区域存在大量的富铜相(Cu2O).阻抗谱分析发现,随着Ti含量的增加,陶瓷的晶粒电阻Rg和晶界电阻Rgb先减小后增加的趋势,当x=4.00时,Rg和Rgb最小.室温介电频谱发现,在40～105Hz频率范围内陶瓷(x=4.00)的介电常数都在5.50×104以上,在1kHz下的介电性能为:εr=6.15×104,tanδ=0.044.

参考文献

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