a-Si:H薄膜结构对多晶硅薄膜性能的影响

功能材料, 2000, 31(2): 157-161.

a-Si:H薄膜结构对多晶硅薄膜性能的影响

余楚迎 ^1, , 林璇英 ^2, , 姚若河 ^3, , 吴萍 ^4, , 林揆训 ^5,

1.汕头大学物理系,广东汕头,515063

2.汕头大学物理系,广东汕头,515063

3.汕头大学物理系,广东汕头,515063

4.汕头大学物理系,广东汕头,515063

关键词：多晶硅薄膜 , 衬底温度 , 掺杂比 , 晶化温度 , 晶粒尺寸

Influence of the a - Si: H Films in Structure on the Properties of Polycrystalline Silicon Films

用a一Si:H薄膜经退火晶化成的多晶硅薄膜,其晶化温度、晶粒尺寸和电性能与薄膜的初始结构有密切关系,而a-Si:H薄膜的初始结构依赖于沉积条件.用PCVD方法高速沉积的a-Si:H薄膜,经550℃的低温退火,可以制备平均晶粒尺寸为几百nn,最大晶粒尺寸为2μ,电导率为1.62(Ω·on)-1的优质多晶硅薄膜.

参考文献

[1]	Yamauchi N;Reif F .[J].Journal of Applied Physics,1994,75:3235.
[2]	Werner J H;Bergman R;Brendel R .[J].Advances in Solid State Physics,1994,34:115.
[3]	Hussam Eldin A.Proc PVSEC-9[C].Japan,1996:241.
[4]	Finger F;Hopke P;Luysberg M et al.[J].Applied Physics Letters,1994,65:2588.
[5]	Middya A R;Guillet J;Perrin J et al.[J].Materials Research Society Symposium Proceedings,1996,420:289.
[6]	Miyamoto T;He D;Miida A.Proc PVSEC-9[C].Japan,1996
[7]	林璇英;林揆训;余云鹏等.[J].功能材料,1992,23(05):280.
[8]	Lin XuanYing;Lin Kuixun;Yu YunPeng.[A].,1994:638.

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