SiC/ZL109复合材料中增强体SiC分别在不同的氧化温度(800、900、1 000、1 100℃)下高温氧化5h,并通过搅拌铸造法制备复合材料.结果表明,SiC氧化温度在800℃时,SiC颗粒氧化层基本形成;在800℃以上,SiC颗粒被氧化层全部覆盖.在800 ～1 100℃,SiO2层厚度的变化范围在0.096 ～0.542 5μm,其中在1 000℃时,SiC增厚0.383 μm.在1000℃氧化5h条件下,SiC/ZL109复合材料的界面存在MgAl2 O4相,但无脆性相Al4C3存在,这有利于界面结合,且此条件下材料的密度最大,孔隙率和磨损率最小.
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