以Si3N4和AlN为原料,La2O3为烧结助剂,在氮气气氛和1 800℃、30 MPa压力下热压烧结保温1 h制备出了Si3N4-AlN复相陶瓷,研究了La2O3含量对复相陶瓷烧结性能、抗弯强度、热导率及介电损耗的影响.结果表明:随La2O3含量的增加,复相陶瓷的孔隙率先减小然后趋于稳定,Si3N4由α相向β相逐渐转变完全,且含镧黄长石晶界相逐渐增多;随La2O3含量的增加,复相陶瓷的抗弯强度逐渐减小,介电损耗先减小后增大,热导率则先增大后减小;在La2O3含量为4%时,抗弯强度达到最大值为574 MPa;在La2O3含量为6%时,介电损耗最低,同时热导率最大,分别为4.55×10<'-3>和11.7 W·m-1·K-1.
参考文献
[1] | 高陇桥.大功率真空电子器件实用的高热导率陶瓷的进展[J].真空电子技术,1999(02):27. |
[2] | 李晓云,步文博,徐洁.AlN-BN复合陶瓷及在微波输能窗上的应用[J].南京化工大学学报(自然科学版),2001(06):103-106. |
[3] | Koji Watari;Hae J. Hwang;Motohiro Toriyama .Effective sintering aids for low-temperature sintering of AIN ceramics[J].Journal of Materials Research,1999(4):1409-1417. |
[4] | Watari Koji .Effect of Grain Size on the Thermal Conductivity of Si_3N_4[J].Journal of the American Ceramic Society,1999(1/3):777-779. |
[5] | Shen ZJ.;Nygren M.;Ekstrom T. .HOMOGENEITY REGION AND THERMAL STABILITY OF NEODYMIUM-DOPED ALPHA-SIALON CERAMICS[J].Journal of the American Ceramic Society,1996(3):721-732. |
[6] | H. Mandal;D. P. Thompson .CeO_2-doped α-sialon ceramics[J].Journal of Materials Science Letters,1996(16):1435-1438. |
[7] | S. KUME;M. YASUOKA;N. OMURA .Dielectric properties of sintered aluminum nitride[J].International Journal of Refractory Metals & Hard Materials,2005(4/6):382-385. |
[8] | Min Kyu Park;Ha Neul Kim;Kee Sung Lee;Seung Su Baek;Eul Son Kang;Yong Kee Baek;Do Kyung Kim .Effect of Microstructure on Dielectric Properties of Si_3N_4 at Microwave Frequency[J].Key engineering materials,2005(287):247-252. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分:
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%