用熔渗反应无压烧结技术制备了MoSi2-SiC复合材料,对制备过程的影响因素进行了分析.研究结果表明:在渗硅温度为1 450℃时,反应生成颗粒细小、弥散分布的SiC相,从而使得材料具有较高的抗弯强度;当渗硅温度升高至1 750℃时,生成的SiC相发生再结晶长大,使得材料强度下降.成型压力对熔渗硅样品强度影响不大.MoSi2-SiC复合材料的抗弯强度随SiC相含量的增加在增强相含量为40%时存在一极大值,这是由于当SiC数量超过40%后,SiC粒子的团聚、长大使弥散强化作用降低,从而使材料的断裂强度降低;复合材料电阻率随第二相含量的增加而增加.
参考文献
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