对N型Si80Ge20(P4)x及P型Si80Ge20Bx固溶体合金的化学计量比进行了研究,采用已总结出的最佳工艺条件,制备了一系列N型、P型固溶体合金,并比较了各系列样品的热电性能.结果表明,x=1.5的N型Si80Ge20(P4)x固溶体合金具备良好的热电性能,与未掺杂Si80Ge20固溶体合金相比,最高热电优值ZT为0.651,提高了3.34倍.x=1.5的P型Si80Ge20Bx固溶体合金也具备较佳的热电性能,最高热电优值(ZT)值为0.538.
参考文献
| [1] | Jeonghoon Kim .New nano structure approaches for bulk thermoelectric materials[D].San Diego:University of California,2010. |
| [2] | 刘宏,王继扬.半导体热电材料研究进展[J].功能材料,2000(02):116-118,123. |
| [3] | Venkatasubramanian R;Siivola E;Colpitts T et al.Thin-film thermoelectric devices with high room-temperature figures of merit[J].Nature,2001,413(6865):597-599. |
| [4] | Harman T C;Taylor P J;Walsh M P et al.Quantum dot supper lattice thermoelectric materials and devices[J].Science,2002,297(5590):2229-2232. |
| [5] | Ananth Slyengar .Synthesis and characterization of micro/nano material for thermoelectric applications[D].Ohio:Case Western Reserve University,2010. |
| [6] | 高丽丽,刘力.机械合金化的发展[J].化工科技,2007(01):68-70,75. |
| [7] | 龚晓钟,吴振兴,彭雨辰,朱晓旋,张倩瑶,范媛,汤皎宁.热电材料SiGe合金的制备[J].材料热处理学报,2012(11):1-5. |
| [8] | Noguchi T.Powder processing of thermoelectric materials-focusing on SiGe with new sintering technique[A].,1997:207-214. |
| [9] | 田莳.材料物理性能[M].北京:北京航空航天大学出版社,2004:268-279. |
| [10] | 王华文 .Si<,80>Ge<,20>热电材料的制备与性能研究[D].武汉理工大学,2007. |
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