建议国家加大深亚微米微电子关键工艺和材料研究的投入

材料导报, 2001, 15(4): 7-8.

建议国家加大深亚微米微电子关键工艺和材料研究的投入

阙端麟 ^1, , 杨德仁 ^2, , 沈德忠 ^3, , 洪啸吟 ^4,

1.浙江大学材料系,

2.浙江大学材料系,

3.清华大学化学系,

4.清华大学化学系,

关键词：微电子 , 单晶硅 , 非线性学光晶体 , 光刻 , 超大规模集成电路

A Proposal Concerning Strengthening Research of Key Materials and Technology for Deep Submicro-Electronics

我国微电子技术和产业与西方发达国家相比,有明显差距.这主要是由于靠仿制或进口,忽视了创新性和学科交叉研究等原因.但是我国也有一些与微电子有关的研究取得了十分重要的成果,如可用于0.1μm超大规模集成电路的微氮单晶硅研制,可作为193 nm紫外光光源用的非线性光学晶体硼酸铯锂的制备,无显影气相光刻技术等,它们是源头创新性成果.基于这种情况,提出了关于加强微电子关健材料与技术的应用基础研究的投入的建议,上述研究的进一步发展,可开发一条具有自主知识产权的新型深亚微米微电子的技术路线.

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