GaAs晶体坩埚下降法生长及掺杂效应

人工晶体学报, 2015, 44(10): 2632-2640.

GaAs晶体坩埚下降法生长及掺杂效应

徐家跃 ^1, , 王冰心 ^2, , 金敏 ^3, , 房永征 ^4,

1.上海应用技术学院材料科学与工程学院,上海,201418

2.上海应用技术学院材料科学与工程学院,上海,201418

3.上海应用技术学院材料科学与工程学院,上海,201418

4.上海应用技术学院材料科学与工程学院,上海,201418

基金项目: 上海市科委项目(09530500800) 上海市人才发展基金(405ZK100012)

关键词：坩埚下降法 , 晶体生长 , 砷化镓晶体 , 掺杂

Growth and Doping Effects of GaAs Crystals by the Pulling-down Method

Keywords： pulling-down method , crystal growth , GaAs crystal , doping

作为第二代半导体材料,GaAs晶体自60年前被发现以来已广泛应用于激光、通讯和显示等领域,并发展出液封提拉法、水平布里奇曼法、垂直梯度凝固法等多种生长工艺.本文总结了GaAs晶体的最新研究进展,探讨了各种生长方法的特点及其应用,重点报道了GaAs晶体坩埚下降法生长的研究成果.坩埚下降法具有一炉多产、易操作、低成本等优点,已成为GaAs晶体产业化的重要途径.掺杂不仅能调节GaAs晶体的性能,还会对晶体生长产生重要影响.本文还给出了Bi、Si、Zn等掺杂GaAs晶体生长结果,探讨了它们的性能、缺陷以及在不同领域里的应用.

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Growth and Doping Effects of GaAs Crystals by the Pulling-down Method

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