采用固相烧结法合成0.97(Ba0.6Sr0.3Ca0.1)TiO3·0.03(Bi2O3·3TiO2)陶瓷材料,研究了掺杂稀土氧化物CeO2对陶瓷材料介电性能的影响.随CeO2加入量的增加,材料的介电常数先增大后减小再增大后减小,而介电损耗先减小后增大,击穿场强先增大后减小.当CeO2为0.1wt%时,介电常数最大,εr=2384.当CeO2为0.2 wt%时,获得了介电常数为1730,介电损耗为0.0060,耐压为13.125 kV/mm的高压低损耗陶瓷电容器瓷料.利用SEM分析了不同CeO2加入量时样品的断面形貌,结果表明:CeO2可以抑制晶粒生长,细化晶粒,形成固溶体,而过量的CeO2偏析于晶界.
参考文献
[1] | 徐延献;沈继跃;薄占满.电子陶瓷材料[M].天津:天津大学出版社,1993:159-164. |
[2] | 秦丹丹,王海龙,辛玲,黎寿山,张锐,高濂.SiC边界层陶瓷电容器的制备和性能特点[J].硅酸盐通报,2005(03):77-80. |
[3] | 黄新友,高春华,潘美琴,管浩,朱兴涛.Dy203掺杂(Ba,Sr)TiO3基电容器陶瓷的研究[J].仪器仪表学报,2005(11):1127-1129,1190. |
[4] | 谢冰,章少华,李丽,胡冰蜂.MnCO3和CuO对中高压电容瓷料介电性能的影响[J].硅酸盐通报,2005(06):37-39. |
[5] | Shen Z Y;Liu H X;Yao Z H et al.Processing and dielectric properties of Bi-doped Sr(Ti0.95Zr0 05)O3 Ceramics[J].Journal of Materials Processing Technology,2008,197:151-155. |
[6] | Matoba H;Sano A;Tamura H .Dielectric ceramic composition and capacitor using the same[P].US-6960547,2003-03-07. |
[7] | 王平,吴思华,李之锋,王科超,李学帅.钛酸锶钡基高压陶瓷电容器材料的研究[J].硅酸盐通报,2009(02):336-340. |
[8] | 张其土,张校平,李斌.BaTiO3基无铅高压陶瓷电容器材料性能的研究[J].电子元件与材料,2005(12):38-41. |
[9] | 许春来,周和平.掺杂氧化铌对钛酸锶钡铁电陶瓷材料显微结构和介电性能的影响[J].硅酸盐学报,2007(12):1572-1576. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分:
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%