利用流延法成膜和热压烧结工艺制备出了SiC层和石墨层交替排列、层厚均匀、界面清晰的SiC/C层状陶瓷.力学性能与单相SiC陶瓷相比,SiC/C层状陶瓷的抗弯强度略有降低,但断裂韧性却得到了大幅度的提高.层状陶瓷的载荷-位移曲线不同于单相陶瓷的1次性断裂曲线,而是呈锯齿状;同理论计算所得载荷-位移曲线相似.层状陶瓷的断裂路径呈台阶状,裂纹遇到弱界面时发生分叉产生并行扩展裂纹、晶须状微裂纹以及裂纹遇到弱界面时被吸收.认为裂纹偏转、裂纹分叉、裂纹并行扩展、裂纹遇弱界面被吸收等是SiC/C层状陶瓷的几种主要增韧机制.
参考文献
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