溅射功率对射频磁控溅射制备非晶In-Ga-Zn-O薄膜的影响

人工晶体学报, 2013, 42(7): 1343-1352.

溅射功率对射频磁控溅射制备非晶In-Ga-Zn-O薄膜的影响

张锁良 ^1, , 贾长江 ^2, , 郝彦磊 ^3, , 史守山 ^4, , 张二鹏 ^5, , 李钗 ^6, , 娄建忠 ^7, , 刘保亭 ^8, , 闫小兵 ^9,

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基金项目: 河北省自然科学基金(E2012201088) 国家自然科学基金(60876055,11074063) 河北大学自然科学基金(2011-219) 河北省高等学校科学研究项目(ZH2012019)

关键词： In-Ga-Zn-O薄膜 , 溅射功率 , 电阻率 , 禁带宽度 , 透过率

Effect of Sputtering Power on the Preparation of In-Ga-Zn-O Films by RF Magnetron Sputtering

ZHANG Suo-liang ^1, , JIA Chang-jiang ^2, , HAO Yan-lei ^3, , SHI Shou-shan ^4, , ZHANG Er-peng ^5, , LI Chai ^6, , LOU Jian-zhong ^7, ,

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Keywords： In-Ga-Zn-O film , sputtering power , resistivity , band gap , transmittance

采用射频磁控溅射法在室温玻璃衬底上成功地制备出了铟镓锌氧(In-Ga-Zn-O)透明导电薄膜.研究了不同溅射功率对In-Ga-Zn-O薄膜结构、电学和光学性能的影响.X射线衍射(XRD)表明,在80～150 W溅射功率范围内In-Ga-Zn-O薄膜为非晶结构.随着溅射功率的增加,生长速率成线性增加,电阻率逐渐降低.透射光谱显示在350 nm附近出现较陡的吸收边缘,说明In-Ga-Zn-O薄膜在以上溅射功率范围内具有良好的薄膜质量.光学禁带宽度随着溅射功率增加而减小.In-Ga-Zn-O薄膜在500～800nm可见光区平均透过率超过90％.

参考文献

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