掺杂对0.7Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.3PbTiO3陶瓷结构和电学性能的影响

材料科学与工程学报, 2010, 28(5): 721-725.

掺杂对0.7Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.3PbTiO3陶瓷结构和电学性能的影响

李乐庆 ^1, , 方必军 ^2, , 丁晨露 ^3, , 王大东 ^4,

1.常州大学材料科学与工程学院,江苏,常州,213164;蚌埠医学院化学教研室,安徽,蚌埠,233000

2.常州大学材料科学与工程学院,江苏,常州,213164

3.常州大学材料科学与工程学院,江苏,常州,213164

4.常州大学材料科学与工程学院,江苏,常州,213164

基金项目: 安徽高等学校省级自然科学研究资助项目(KJ2010B111) 常州市科技局国际科技合作计划资助项目(CZ2008014) 江苏省高校自然科学研究计划资助项目(08KJB430001)

关键词：铌镁酸铅-钛酸铅 , 弛豫铁电体 , 钙钛矿结构 , 掺杂 , 电学性能

Influences of Oxide Doping on Structure and Electrical Properties of the 0.7Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.3PbTiO3 Ceramics

用传统的固相反应法、通过铌铁矿预合成路线制备了1mol%ZnO、MnO2和CuO掺杂的0.7Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.3PbTiO3(0.7PMN-0.3PT)陶瓷.XRD分析表明掺杂的0.7PMN-0.3PT陶瓷都呈现纯三方钙钛矿结构.烧成的陶瓷具有较高的致密度,其中CuO掺杂的0.7PMN-0.3PT陶瓷达到理论密度的93.79%.掺杂的0.7PMN-0.3PT陶瓷都呈现宽化、弥散的介电响应峰,然而介电常数的频率色散现象明显减弱.CuO掺杂的0.7PMN-0.3PT陶瓷呈现优良的综合电学性能:介电常数最大值εm达到21000左右,剩余极化强度Pr达到27.49μC/cm2,压电应变常量d33达到548pC/N.

参考文献

[1]	孙大志,赵梅瑜,罗豪甦,瞿翠凤,金绮华,姚春华,林盛卫,殷之文.PMNT陶瓷材料的压电介电性能研究[J].无机材料学报,2000(05):939-942.
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[3]	Kumar P;Prakash C;Thakur OP;Chatterjee R;Goel TC .Dielectric, ferroelectric and pyroelectric properties of PMNT ceramics[J].Physica, B. Condensed Matter,2006(2):313-316.
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[6]	Yuan F;Peng Z;Liu JM .Dielectric behaviors of relaxor ferroelectric Pb(Mg1/2Nb1/2)O-3-35 % PbTiO3: temperature and frequency dependences[J].Materials Science & Engineering, B. Solid-State Materials for Advanced Technology,2005(3):265-270.

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