大面积碳纳米管薄膜的低温制备与表征

功能材料, 2004, 35(5): 590-592.

大面积碳纳米管薄膜的低温制备与表征

刘兴辉 ^1, , 朱长纯 ^2, , 田昌会 ^3, , 刘卫华 ^4,

1.西安交通大学,电信学院真空微电子与微电子机械研究所,陕西,西安,710049

2.西安交通大学,电信学院真空微电子与微电子机械研究所,陕西,西安,710049

3.西安交通大学,电信学院真空微电子与微电子机械研究所,陕西,西安,710049

4.西安交通大学,电信学院真空微电子与微电子机械研究所,陕西,西安,710049

基金项目: 国家高技术研究发展计划(863计划)(2001AA313090) 高等学校博士学科点专项科研项目(2000069823) 国家自然科学基金(60036010)

关键词：碳纳米管 , 大面积Ni衬底 , 化学气相沉积 , 场致发射特性

Low temperature fabrication and characterization of large area carbon nanotubes film

采用研制的大体积射频等离子体红外加热化学气相沉积设备,在600℃的低温下,在5cm×5cm大的Ni片上生长出碳纳米管薄膜.扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)观察显示,碳纳米管薄膜具有很好的均匀性,管径大约为70～90nm.随机地对样品的3个不同区域进行了场发射特性的测试,结果表明这种薄膜具有良好的场发射特性及一致性.开启电场约为2.4V/μm,在电场为6.6V/μm时的发射电流密度达到1635μA/cm2.实验结果表明在低温条件下,大面积生长场发射用碳纳米管薄膜是可行的.

参考文献

[1]	Thess A;Lee R;Nikolacv P .[J].科学(上海),1996,273:483.
[2]	Journet C;Maser W K;Bernier P et al.[J].Nature,1997,388:756-758.
[3]	Terrones M;Grobert N;Oblivares J et al.[J].Nature,1997,388:52-55.
[4]	Hofmann S;Ducati C;Robertson J et al.[J].Applied Physics Letters,2003,83:135-137.
[5]	Ryu K;Kang M;Kim Y et al.[J].Japanese Journal of Applied Physics,2003,42:3578-3581.
[6]	Yun S W;Duk Y J;Han I T et al.[J].Journal of Vacuum Science and Technology B:Microelectronics and Nanometer Structures,2003,21:1660-1664.
[7]	Chen M;Chen C M;Shi S C et al.[J].Japanese Journal of Applied Physics,2003,42:614-619.
[8]	Boskovic B O;Stolojan V;Khan R A et al.[J].Nature Materials,2002,1:165-168.
[9]	Zhang W D;Wen Y;Tjiu W C et al.[J].Applied Physics A:Materials Science and Processing,2002,74:419-422.
[10]	Liu GY.;Zhong DY.;Xia SH.;Cheng SF.;Ding YG.;Lu YJ.;Shao YJ.;Li HY. Hangfu LJ.;Wang EG. .CNTs grown on the surface of various materials by large volume MP-CVD for VME applications[J].Applied Surface Science: A Journal Devoted to the Properties of Interfaces in Relation to the Synthesis and Behaviour of Materials,2003(1/4):209-213.

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