Ga、K双掺杂P型Bi0.5Sb1.5Te3材料的制备及热电性能

稀有金属, 2015, 44(3): 759-762.

Ga、K双掺杂P型Bi0.5Sb1.5Te3材料的制备及热电性能

段兴凯 ^1, , 胡孔刚 ^2, , 丁时锋 ^3, , 满达虎 ^4, , 张汪年 ^5, , 马明亮 ^6,

1.九江学院,江西九江,332005

2.九江学院,江西九江,332005

3.九江学院,江西九江,332005

4.九江学院,江西九江,332005

5.九江学院,江西九江,332005

6.九江学院,江西九江,332005

基金项目: 江西省教育厅科技资助项目(GJJ13722) 国家自然科学基金(51161009)

关键词：双掺杂 , 真空熔炼 , 热压 , 显微结构 , 热电性能

Preparation and Thermoelectric Properties of Ga and K Dual Doped P-Type Bi0.5Sb1.5Te3

Keywords： dual doping , vacuum melting , hot pressing , microstructure , thermoelectric properties

采用真空熔炼和热压方法制备了Ga和K双掺杂Bi0.5Sb1.5Te3热电材料.XRD结果表明,Ga0.02Bi0.5Sb1.48-xKxTe3块体材料的XRD图谱与Bi0.5Sb1.5Te3的XRD图谱对应一致,但双掺杂样品的衍射峰略微向左偏移.热压块体材料中存在明显的(001)晶面择优取向.SEM形貌表明材料组织致密且有层状结构特征.Ga和K双掺杂可使Bi0.5Sb1.5Te3在室温附近的Seebeck系数有一定的提高,而双掺杂样品的电导率均得到了不同程度的提高,其中Ga0.02Bi0.5Sb1.42K0.06Te3样品的电导率得到较明显的改善.在300～500 K测量温度范围内,所有双掺杂样品的热导率高于Bi0.5Sb1.5Te3的热导率,在300 K附近双掺杂样品的ZT值得到提高,其中Ga0.02Bi0.5Sb1.42K0.06Te3样品在300 K时ZT值达到1.5.

参考文献

[1]	Fan XA;Yang JY;Chen RG;Yun HS;Zhu W;Bao SQ;Duan XK .Characterization and thermoelectric properties of p-type 25%Bi2Te3-75% Sb2Te3 prepared via mechanical alloying and plasma activated sintering[J].Journal of Physics, D. Applied Physics: A Europhysics Journal,2006(4):740-745.
[2]	马旭颐,张忻,路清梅,张久兴.细晶Bi2Te3块体材料的制备及其热电性能[J].稀有金属材料与工程,2012(06):1097-1100.
[3]	修伟杰,应鹏展,崔教林,薛海峰.SPS法制备n-型Ag掺杂四元Ag-Bi-Se-Te 合金及其热电性能[J].稀有金属材料与工程,2008(02):334-337.
[4]	Duan XK;Yang JY;Xiao CJ;Zhu W .Structural and thermoelectric properties of Ag-doped Bi-2(Te0.95Se0.05)(3) thin films prepared by flash evaporation[J].Journal of Physics, D. Applied Physics: A Europhysics Journal,2007(19):5971-5974.

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